Infineon JANTX2N6758
N-канальный200 V9A (Tc)4 В @ 250 мкА4 Вт (Ta), 75 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьJANTX2N6758
MOSFET N-CH 200V 9A TO204AA
₽91.63
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The Jantx2N6689 is MOSFET NPN Transistor, that includes Si Technology.
The JANTX2N6756 is MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 manufactured by IR. The JANTX2N6756 is available in TO-204AA, TO-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH TO-204AA TO-3, N-Channel 100V 14A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-204AA, Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3.
Features
Bulk Packagea continuous drain current (ID) of 9A
based on its rated peak drain current 36A.
a 200V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of Microsemi Corporation
JANTX2N6758 applications of single MOSFETs transistors.
- LCD/LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Военные, MIL-PRF-19500/542
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 490 мОм @ 9А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 39 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная рассеиваемая мощность: 4 Вт (Ta), 75 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: К-204АА (К-3)
Упаковка / Кейс: TO-204AA, TO-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB