Infineon JANTX2N7236U
P-канал100 V18A (Tc)4 В @ 250 мкА4 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьJANTX2N7236U
MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
₽5200.99
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
JANTX2N7225U with pin details manufactured by MICROSE. The JANTX2N7225U is available in SMD Package, is part of the IC Chips, N-Channel 200V 27.4A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-267AB, Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin SMD-1.
JANTX2N7236 with circuit diagram manufactured by IR. The JANTX2N7236 is available in IC Package, is part of the IC Chips, P-Channel 100V 18A (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-254AA, Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA.
Features
Bulk PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
18A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
220mOhm @ 18A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
60 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4W (Ta), 125W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Военные, MIL-PRF-19500/595
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 18A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 220 мОм @ 18 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 60 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная рассеиваемая мощность: 4 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-267AB
Упаковка / Кейс: TO-267AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223