Infineon S29GL512T11FAIV10
64M x 8110 нс-40°C ~ 85°C (TA)
СравнитьS29GL512T11FAIV10
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
S29GL512T11DHV010 with pin details, that includes GL-T Series, it has an Operating Temperature range of -40°C ~ 105°C (TA), Interface is shown on datasheet note for use in a Parallel, that offers Voltage Supply features such as 2.7 V ~ 3.6 V, Memory Size is designed to work in 512M (64M x 8), as well as the FLASH - NOR Memory Type, the device can also be used as 110ns Speed. In addition, the Format Memory is FLASH.
The S29GL512T11DHIV10 is Flash Memory manufactured by Cypress. The S29GL512T11DHIV10 is available in 64-LBGA Package, is part of the Memory, , and with support for Flash Memory, FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9), NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray.
Features
FLASH Memory FormatPackage / Case: 64-LBGA
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11FAIV10 Memory applications.
- servers
- supercomputers
- telecommunications
- workstations,
- DVD disk buffer
- data buffer
- nonvolatile BIOS memory
- Camcorders
- embedded logic
- eDRAM
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
MT47H32M16NF-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H
Micron Technology Inc.
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H
Micron Technology Inc.
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M4CF-187E:G
Micron Technology Inc.
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR
Micron Technology Inc.
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8P-5B IT:J
Micron Technology Inc.
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: GL-T
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Программируемые устройства: Не проверено
Тип памяти: Энергонезависимый
Формат памяти: FLASH
Технология: FLASH - NOR
Размер памяти: 512 Мбит
Организация памяти: 64M x 8
Интерфейс памяти: Параллельный
Время цикла записи для слова, страницы: 60ns
Время доступа: 110 нс
Напряжение питания: 1,65 В ~ 3,6 В
Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 64-LBGA
Поставщик Упаковка устройства: 64-FBGA (13x11)
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FM24V10-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM25CL64B-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
FM25L16B-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFI101
Infineon Technologies
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
CY7C1021DV33-10ZSXIT
Infineon Technologies
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
FM24V02A-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
S29GL512S10TFI010
Infineon Technologies
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
S25FL064LABMFI013
Infineon Technologies
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
FM22L16-55-TG
Infineon Technologies
IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
CY7C1041GN-10ZSXIT
Infineon Technologies
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II