Infineon S29GL512S10TFI010
32M x 16100 нс-40°C ~ 85°C (TA)
СравнитьS29GL512S10TFI010
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
₽238.65
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The S29GL512S10TFI010 is a 512Mbit 3V, page flash with 90nm MirrorBit process technology in 56 pin TSOP package. This device offers a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 100ns at regulated VCC. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes device ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption. It has an uniform 64Kword/128Kbyte sector architecture with five hundred twelve sectors, hardware reset input (RESET#) resets device and ready/busy# output (RY/BY#) detects program or erase cycle completion.
Features
FLASH Memory FormatPackage / Case: 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
56 Pins
Operating Supply Voltage:3.3V
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10TFI010 Memory applications.
- supercomputers
- telecommunications
- workstations,
- DVD disk buffer
- data buffer
- nonvolatile BIOS memory
- Camcorders
- embedded logic
- eDRAM
- graphics card
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
S29GL512S10DHI020
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
S29GL512P12TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
S29GL512P11TFIV20
Infineon Technologies
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
S29GL512P12FFIV20
Infineon Technologies
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10DHI020
Infineon Technologies
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: GL-S
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Программируемые устройства: Проверено
Тип памяти: Энергонезависимый
Формат памяти: FLASH
Технология: FLASH - NOR
Размер памяти: 512 Мбит
Организация памяти: 32M x 16
Интерфейс памяти: Параллельный
Время цикла записи для слова, страницы: 60ns
Время доступа: 100 нс
Напряжение питания: 2,7 В ~ 3,6 В
Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 56-TFSOP (ширина 0,724", 18,40 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 56-TSOP
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
S25FL064LABMFI013
Infineon Technologies
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
S29GL512S10TFI010
Infineon Technologies
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
FM22L16-55-TG
Infineon Technologies
IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
FM25L16B-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
CY7C1021DV33-10ZSXIT
Infineon Technologies
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
FM25CL64B-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
FM24V02A-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM24V10-GTR
Infineon Technologies
IC FRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFI101
Infineon Technologies
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
CY7C1041GN-10ZSXIT
Infineon Technologies
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II