Свяжитесь с нами
pусский
APT75GP120JDQ3

Microsemi APT75GP120JDQ3

PT1200 V128 A543 W-55°C ~ 150°C (TJ)

Сравнить
Microsemi Corporation
APT75GP120JDQ3
IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽1510.92

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The APT75GP120B2G is IGBT 1200V 100A 1042W TMAX, that includes POWER MOS 7R Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Tradename features such as POWER MOS 7 IGBT, Package Case is designed to work in TO-247-3 Variant, as well as the Standard Input Type, the device can also be used as Through Hole Mounting Type. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 1042W Power Max, the device has a 100A of Current Collector Ic Max, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 1200V, and the IGBT Type is PT, and Current Collector Pulsed Icm is 300A, and the Vce on Max Vge Ic is 3.9V @ 15V, 75A, and Switching Energy is 1620μJ (on), 2500μJ (off), and the Gate Charge is 320nC, and Td on off 25°C is 20ns/163ns, and the Test Condition is 600V, 75A, 5 Ohm, 15V, and Pd Power Dissipation is 1.042 kW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 1.2 kV, and Collector Emitter Saturation Voltage is 3.3 V, and the Continuous Collector Current at 25 C is 100 A, and Gate Emitter Leakage Current is 100 nA, and the Maximum Gate Emitter Voltage is 30 V, and Continuous Collector Current Ic Max is 100 A.

APT75GP120JDF3 with circuit diagram manufactured by APT. The APT75GP120JDF3 is available in MODULE Package, is part of the Module.

Features

POWER MOS 7® Series

• Low Conduction Loss 

• 50 kHz operation @ 800V, 20A

• Low Gate Charge 

• 20 kHz operation @ 800V, 44A

• Ultrafast Tail Current shutoff 


ISOTOP® Supplier Device Package

Applications

• CCD Clock for VTR Camera

• Equipment Connected to PCs

• Low Profile Equipment

• Computers and Peripherals

• Lower Cost Crystal Oscillator Replacement

• Portable Electronics (MP3 Players, Games)

• Consumer Electronics such as TV’s, DVR’s, etc.


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: POWER MOS 7®
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип IGBT: PT
Конфигурация: Single
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 1200 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 128 A
Максимальная мощность: 543 W
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 3.9V @ 15V, 75A
Ток - отключение коллектора (макс.): 1,25 мА
Входная емкость (Cies) при напряжении Vce: 7,04 нФ при 25 В
Вход: Стандарт
NTC-термистор: Нет
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Крепление на шасси
Упаковка / Кейс: ISOTOP
Поставщик Упаковка устройства: ISOTOP®
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z