ON FDB2572
N-канальный150 V4A (Ta), 29A (Tc)4 В @ 250 мкА135 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
₽155.15
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54mΩ, The latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Features
PowerTrench® Series?Vqs = 10V, Qg(tot) = 26nC (Typ.
?Minimal Miller Charge
?Low-Quality Bocy Diode
?UI Capabilities (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
?Off-Line UPS and DC/DC converters
?VRMs and Distributed Power Architectures
?Primary Switch for Systems Using 24V and 48V Power
?High-voltage synchronized rectifiers
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB075N15A
onsemi
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
FDB20N50F
onsemi
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
FDB075N15A-F085
onsemi
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
FDB2552
onsemi
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
FDB2532
onsemi
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
FDB20AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
FDB20AN06A0
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
FDB2532
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 54 мОм @ 9 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 34 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1770 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 135 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP