ON FDB2710
N-канальный250 V50A (Tc)5 В @ 250 мкА260 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
₽1508.75
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using a PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesRDS(on) = 36.3m? (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 25A
High-performance trench technology for extremely low RDS(on)
Low Gate Charge
High power and current handing capability
NPT design for outstanding reliability
Applications
Consumer appliances
Low noise switching
High power switching
Battery protection
High-speed switching
HV technology
Circuit protections
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB20N50F
onsemi
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
FDB2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
FDB2552
onsemi
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
FDB2532
onsemi
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
FDB2614
onsemi
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FDB20AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
FDB20AN06A0
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
FDB2532
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FDB2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 50A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 42,5 мОм @ 25 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 101 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7280 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 260 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3