ON FDC658P
P-канал30 V4A (Ta)3 В @ 250 мкА1,6 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDC658P
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
₽51.78
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® SeriesLow gate charge (8nC typical).
High-performance trench technology for extremely low RDS(ON).
SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick).
Applications
Load switching
Power management
Battery charging circuits
DC/DC conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDC654P
onsemi
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
FDC655AN
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDC655BN
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDC658AP
onsemi
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
FDC6561AN
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDC6420C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
FDC654P
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDC655AN
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDC658AP
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 50 мОм при 4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 12 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 750 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
Упаковка / Кейс: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET