ON FDD6796A
N-канальный25 V20A (Ta), 40A (Tc)3 В @ 250 мкА3,7 Вт (Ta), 42 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDD6796A
MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
₽5.49
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDD6782A is MOSFET N-CH 25V 20A DPAK manufactured by FAIRCHILD. The FDD6782A is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 25V 20A DPAK, N-Channel 25V 20A (Ta) 3.7W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252).
The FDD6796 is MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK manufactured by FSC. The FDD6796 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK, N-Channel 25V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252).
Features
PowerTrench® SeriesMax ())=5.7 mQ at lD = 20 A and VGS = 10 V.
Max rQS(on) is 15.0 mQ at 4.5 V and ID is 15.2 A.
UlL testing is complete.
RoHS Compliant.
Applications
Vcore DC-DC for Servers and Desktop Computers
Intermediate Bus Architecture with VRM
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD6685
onsemi
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
FDD6690A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
FDD6635
onsemi
MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
FDD6760A
onsemi
MOSFET N-CH 25V 27A/50A DPAK
FDD6696
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
FDD6696
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
FDD6692
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDD6685
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 5,7 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 34 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1780 пФ @ 13 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,7 Вт (Ta), 42 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252, (D-Pak)
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET