Свяжитесь с нами
pусский
FDD86569-F085

ON FDD86569-F085

N-канальный60 V90A (Tc)4 В @ 250 мкА150 Вт (Tj)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽159.87

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDD8647L is MOSFET N-CH 40V 14A DPAK, that includes PowerTrenchR Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.009184 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, as well as the Si Technology, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ). In addition, the Mounting Type is Surface Mount, the device is offered in 1 Channel Number of Channels, the device has a D-Pak of Supplier Device Package, and Configuration is Single, and the FET Type is MOSFET N-Channel, Metal Oxide, and Power Max is 3.1W, and the Transistor Type is 1 N-Channel, and Drain to Source Voltage Vdss is 40V, and the Input Capacitance Ciss Vds is 1640pF @ 20V, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 14A (Ta), 42A (Tc), and Rds On Max Id Vgs is 9 mOhm @ 13A, 10V, and the Vgs th Max Id is 3V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 28nC @ 10V, and the Pd Power Dissipation is 3.1 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 2 ns, and the Rise Time is 3 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 14 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 40 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 9 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 19 ns, and Typical Turn On Delay Time is 8 ns, and the Channel Mode is Enhancement.

FDD86569_F085 with EDA / CAD Models, that includes SMD/SMT Mounting Style, they are designed to operate with a Single Configuration, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Packaging features such as Reel, Transistor Polarity is designed to work in N-Channel, as well as the Enhancement Channel Mode, the device can also be used as DPAK-3 Package Case. In addition, the Id Continuous Drain Current is 90 A, the device is offered in 8 ns Fall Time, the device has a 60 V of Vds Drain Source Breakdown Voltage, and Qg Gate Charge is 35 nC, and the Typical Turn Off Delay Time is 22 ns, and Rise Time is 20 ns, and the Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 2 V, and Pd Power Dissipation is 150 W, and the Typical Turn On Delay Time is 15 ns, and Rds On Drain Source Resistance is 11.3 mOhms, and the Transistor Type is 1 N-Channel, and Number of Channels is 1 Channel, and the Unit Weight is 0.011640 oz, and Vgs Gate Source Voltage is +/- 20 V, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • At VGS = 10V, ID = 80 A, the typical RDS(on) is 4.2 m, and the typical Qg(tot) is 35 nC.

  • Capability of UIS

  • RoHS compliant and AEC Q101 qualified



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Control of automobile engines

  • "PowerTrain Management"

  • Drivers for solenoids and motors

  • Integrated Alternator/Starter

  • 12V Systems Primary Switch


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 90A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 5,7 мОм @ 80 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 52 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2520 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт (Tj)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z