ON FDFS6N548
N-канальный30 V7A (Ta)2,5 В @ 250 мкА1,6 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDFS6N548
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
₽40.55
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Designed for battery charge switches in cellular handset and other ultra-portable applicationsAn independently connected low forward voltage schottky diode allows for minimum conduction losses
Features
PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 23mΩ at VGS = 10V, ID = 7A
Max rDS(on) = 30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 6A
VF < 0.45V @ 2A
VF < 0.28V @ 100mA
Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount SO-8 package
Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility
Low Miller Charge
Applications
Cellular phones
Laptop computers
Photovoltaic systems
Wind turbines
Shunt voltage regulator and the series voltage regulator
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD8896
onsemi
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
FDFS2P106A
onsemi
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
FDFS6N303
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FDFS2P753Z
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDFS2P753Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
FDD8896
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDFS2P753Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
FDFS6N303
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 23 мОм @ 7А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 13 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 700 пФ @ 15 В
Характеристика FET: Диод Шоттки (изолированный)
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP