Свяжитесь с нами
pусский
FDG314P

ON FDG314P

P-канал25 V650 мА (Ta)1,5 В @ 250 мкА750 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDG314P
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG314P Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽9.28

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDG313N is MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a FDG313N_NL Part Aliases, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.000988 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in SC-70-6, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Configuration is Single Quad Drain, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 750 mW of Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 8.5 ns, and the Rise Time is 8.5 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 8 V, and the Id Continuous Drain Current is 950 mA, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 25 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 350 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 17 ns, and Typical Turn On Delay Time is 3 ns, and the Forward Transconductance Min is 1.5 S, and Channel Mode is Enhancement.

FDG313N-NL with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDG313N-NL is available in SOT363 Package, is part of the IC Chips.

Features

Bulk Package


  • -0.65 A, -25 V. RDS(ON) = 1.1 ? @ VGS = -4.5 V

                              RDS(ON) = 1.5 ? @ VGS = -2.7 V.

  • Very low gate drive requirements allow direct operation in a 3V circuit (VGS(th) <1.5 V).

  • Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6 kV Human Body Model).

  • Compact industry standard SC70-6 surface mount package.



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Load switch

  • Signal switch

  • Fan Motor Drives

  • Enterprise Copiers

  • Set-top Boxes


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 650 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,7 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,1 Ом @ 500 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 1,5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 63 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 750 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z