ON FDG312P
P-канал20 V1,2A (Ta)1,5 В @ 250 мкА750 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
₽3.85
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® SeriesLow gate charge (3.3 nC typical).
High performance trench technology for extremely low RDS(ON).
Compact industry standard SC70-6 surface mount package.
Applications
Load switch
Battery protection
Power management
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
FDFS6N754
onsemi
MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC
FDFS6N548
onsemi
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
FDFS6N303
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FDG1024NZ
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
FDFS2P753Z
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDFS2P753Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
FDFS2P753Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
FDFS6N303
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,2A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,5 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 180 мОм @ 1,2A, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 330 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 750 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3