ON FDMC86116LZ
N-канальный100 V3.3A (Ta), 7.5A (Tc)2,2 В @ 250 мкА2,3 Вт (Ta), 19 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMC86116LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
₽36.20
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using an advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
Features
PowerTrench® SeriesLower gate charge
Lower on-state resistance
High dv/dt capability
Superior switching performance
Available in the MLP package
Applications
DC-DC conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMC86012
onsemi
MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
FDMC8360L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
FDMC8588
onsemi
MOSFET N-CH 25V 16.5A/40A PWR33
FDMC8327L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
FDMC8321L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
FDMC8588
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMC86106LZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
FDMC8327L
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 103 мОм @ 3,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 310 пФ при 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,3 Вт (Ta), 19 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Кейс: 8-PowerWDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3