ON FDMS7572S
N-канальный25 V23A (Ta), 49A (Tc)3 В @ 1 мА2,5 Вт (Ta), 46 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS7572S
MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN
₽61.23
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDMS7572S has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Features
PowerTrench®, SyncFET™ SeriesAdvanced silicon and package technologies
Low RDS (on)
Superior switching performance
High efficiency
Available in the Power 56 package
Applications
Server
Telecom
Notebook
High-efficiency DC-DC switch-mode power supplies
Synchronous rectifier for synchronous buck converters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS3686S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDMS3668S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
FDMS5672
onsemi
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
FDMS3660S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
FDMS3669S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
FDMS3664S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
FDMS3669S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/24A 8PQFN
FDMS3668S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®, SyncFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 23A (Ta), 49A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,9 мОм @ 23 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 45 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2780 пФ @ 13 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 46 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3