ON FDMS86201
N-канальный120 V11.6A (Ta), 49A (Tc)4 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
₽52.27
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies. The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® Series100% UIL tested
RoHS Compliant
MSL1 robust package design
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 11.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 11.6 A
Max rDS(on) = 14.5 mΩ at VGS = 6 V, ID = 10.7 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)and high efficiency
Applications
DC-DC conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS86104
onsemi
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMS86101DC
onsemi
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
FDMS86152
onsemi
MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
FDMS8558S
onsemi
MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
FDMS86200DC
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
FDMS86152
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS86104
onsemi
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
FDMS8558S
onsemi
38A, 25V, 0.0015OHM, N-CHANNEL,
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 120 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 11,5 мОм @ 11,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 46 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2735 пФ при 60 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3