ON FDMS8670AS
N-канальный30 V23A (Ta), 42A (Tc)3 В @ 1 мА2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS8670AS
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
₽174.18
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 3.0m: at VGS = 10V, ID = 23A
Max rDS(on) = 4.7m: at VGS = 4.5V, ID = 18A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
SyncFET Schottky Body Diode
MSL1 robust package design
RoHS Compliant
Applications
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
Notebook Vcore/ GPU low side switch
Networking Point of Load low side switch
Telecom secondary side rectification
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS86320
onsemi
MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
FDMS86520
onsemi
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
FDMS8660S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
FDMS86550
onsemi
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
FDMS86350
onsemi
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
FDMS86500DC
onsemi
MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
FDMS86320
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 23A (Ta), 42A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3 мОм @ 23 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 55 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3615 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET