ON FDMS8680
N-канальный30 V14A (Ta), 35A (Tc)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS8680
MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
₽35.74
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDMS8680 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.
Features
PowerTrench® Series
Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A
Max rDS(on) = 11.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.5 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
MSL1 robust package design
RoHS compliant
Surface Mount Mounting Type
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Low Side for Synchronous Buck to Power Core Processor
Secondary Side Synchronous Rectifier
Low Side Switch in POL DC/DC Converter
Oring FET / Load Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS86520
onsemi
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
FDMS8660S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
FDMS8672S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN
FDMS86550
onsemi
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
FDMS86500DC
onsemi
MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
FDMS8670S
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMS8670S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
FDMS8672S
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN
FDMS8670S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7 мОм @ 14 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 26 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1590 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3