ON FDP18N20F
N-канальный200 V18A (Tc)5 В @ 250 мкА100 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ Series? Minimal Gate Fee (Typ. 20 nC)
? Low Crss FTP (24pF)
? Only Avalanche-certified products
? RoHS conformant
Applications
? LCD or LED TV
? Consumer electronics
? Lighting
? A backup power supply
? Power Supply, AC-DC
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDP150N10A
onsemi
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
FDP16N50
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
FDP15N40
onsemi
MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
FDP12N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
FDP120N10
onsemi
MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
FDP15N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
FDP16N50
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
FDP15N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
FDP12N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 18A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 145 мОм @ 9А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 26 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1180 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 100 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3