ON FDP3672
N-канальный105 V5.9A (Ta), 41A (Tc)4 В @ 250 мкА135 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP3672
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
₽50.68
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
PowerTrench® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
105 V Drain to Source Voltage (Vdss)
5.9A (Ta), 41A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
33mOhm @ 41A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
37 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1670 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
135W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Applications
Optimized Efficiency at High Frequencies
Low Miller Charge
RDS(on) = 25m? (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 41A
Low Qrr Body Diode
QG(tot) = 28nC (Typ.) @ VGS = 10V
FDP42AN15A0 Applications
Consumer Appliances
Synchronous Rectification
Battery Protection Circuit
Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
Micro Solar Inverters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDP3651U
onsemi
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
FDP2552
onsemi
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
FDP33N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
FDP3652
onsemi
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
FDP3632
onsemi
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
FDP24N40
onsemi
MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
FDP3632
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDP3652
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDP3651U
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 105 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 33 мОм @ 41 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 37 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1670 пФ при 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 135 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6