ON FDP6670AL
N-канальный30 V80A (Ta)3 В @ 250 мкА68 Вт (Тс)-65°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP6670AL
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Features
PowerTrench® SeriesLow gate charge
Low RDS(ON)
Fast switching speed
High-performance trench technology
Applications
DC/DC converter
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDP5N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
FDP5N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FDP5680
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
FDP52N20
onsemi
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
FDP61N20
onsemi
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
FDP5N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FDP6035L
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDP5680
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
FDP61N20
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6,5 мОм @ 40 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2440 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 68 Вт (Тс)
Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA