ON FDP52N20
N-канальный200 V52A (Tc)5 В @ 250 мкА357 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP52N20
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
₽95.50
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ SeriesLow gate charge
Better dv/dt capability
Advanced switching performance
Planar stripe, DMOS technology
Available in the TO-220 package
Applications
High efficient switching mode power supplies
Active power factor correction (PFC)
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDP3651U
onsemi
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
FDP3672
onsemi
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
FDP33N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
FDP3652
onsemi
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
FDP51N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
FDP3632
onsemi
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
FDP3672
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDP3632
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDP3652
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDP3651U
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 52A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 49 мОм @ 26 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 63 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2900 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 357 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23