ON FDR8308P
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)20V3.2A50 мОм при 3,2 А, 4,5 В1,5 В @ 250 мкА
СравнитьFDR8308P
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDR8305N is MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8, that includes PowerTrenchR Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 8-SMD, Gull Wing, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type is designed to work in Surface Mount, as well as the SuperSOT?-8 Supplier Device Package, the device can also be used as 2 N-Channel (Dual) FET Type. In addition, the Power Max is 800mW, the device is offered in 20V Drain to Source Voltage Vdss, the device has a 1600pF @ 10V of Input Capacitance Ciss Vds, and FET Feature is Logic Level Gate, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 4.5A, and Rds On Max Id Vgs is 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V, and the Vgs th Max Id is 1.5V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 23nC @ 4.5V.
FDR6678A with circuit diagram manufactured by FSC. The FDR6678A is available in VSOP8 Package, is part of the IC Chips.
Features
PowerTrench® Seriesload switching
power management
battery charging circuits
DC/DC conversions.
Surface Mount Mounting Type
Applications
-3.2A-20VR=0.050@V=4.5V
RO8ON=0.070@Va8=-2.5V
Low gate charge (13nC typical).
High performance trench technology for extremely low Rgeion
SuperSOT-8 package:small footprint(40% less than
So-8):lowprofile(1mmthick):maximumpower comparable to SO-8.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3.2A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 50 мОм при 3,2 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 19nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1240 пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 800 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-LSOP (0,130", ширина 3,30 мм)
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-8
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN