Свяжитесь с нами
pусский
FDS6375

ON FDS6375

P-канал20 V8A (Ta)1,5 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDS6375
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
FDS6375 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽34.38

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
20 V Drain to Source Voltage (Vdss)
8A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5V, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
24mOhm @ 8A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
36 nC @ 4.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±8V Vgs (Max)
2694 pF @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5W (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type

Applications

 

-8.0 A, -20 V

RDS(on) = 24 mΩ @ VGS = -4.5 V

RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = -2.5 V

Low gate charge (26nC typical)

Fast switching speed

High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

High power and current handling capability


FDS6375  Applications


This product is general usage and suitable for many different applications.

Power Management

Load Switch

Battery Protection


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,5 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 24 мОм @ 8 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 36 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2694 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z