ON FQPF9N90C
N-канальный900 V8A (Tc)5 В @ 250 мкА68 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFQPF9N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
₽33.79
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Features
QFET® SeriesLow gate charge
Low on-state resistance
Superior switching performance
Improved dv/dt capability
Available in the TO-220F package
Applications
Switched-mode power supplies
Active power factor correction (PFC)
Electronic lamp ballasts
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FQPF9N25C
onsemi
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
FQPF7P06
onsemi
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
FQPF9N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
FQPF9N50C
onsemi
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FQPF9N50CF
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQPF9N50CF
onsemi
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FQPF9N50CF
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQPF7P06
onsemi
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
FQPF9N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
FQPF9N50C
onsemi
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
FQPF9N25C
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: QFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 900 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,4 Ом при 4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 58 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2730 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 68 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET