Свяжитесь с нами
pусский
NTJD2152PT2G

ON NTJD2152PT2G

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)8V775 мА300 мОм @ 570 мА, 4,5 В1 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
NTJD2152PT2G
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NTJD2152PT1 is MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363, that includes Tape & Reel (TR) Packaging, they are designed to operate with a 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Package Case, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in SC-88/SC70-6/SOT-363, as well as the 2 P-Channel (Dual) FET Type, the device can also be used as 270mW Power Max. In addition, the Drain to Source Voltage Vdss is 8V, the device is offered in 225pF @ 8V Input Capacitance Ciss Vds, the device has a Logic Level Gate of FET Feature, and Current Continuous Drain Id 25°C is 775mA, and the Rds On Max Id Vgs is 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, and Vgs th Max Id is 1V @ 250μA, and the Gate Charge Qg Vgs is 4nC @ 4.5V.

The NTJD2152PT1G is MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363, that includes 775mA Current Continuous Drain Id 25°C, they are designed to operate with a 8V Drain to Source Voltage Vdss, FET Feature is shown on datasheet note for use in a Logic Level Gate, that offers FET Type features such as 2 P-Channel (Dual), Gate Charge Qg Vgs is designed to work in 4nC @ 4.5V, as well as the 225pF @ 8V Input Capacitance Ciss Vds, the device can also be used as Surface Mount Mounting Type, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), the device is offered in 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Package Case, the device has a Digi-ReelR of Packaging, and Power Max is 270mW, and the Rds On Max Id Vgs is 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, and Supplier Device Package is SC-88/SC70-6/SOT-363, and the Vgs th Max Id is 1V @ 250μA.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
8V Drain to Source Voltage (Vdss)
775mA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300mOhm @ 570mA, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
4nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
225pF @ 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 775 мА
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 300 мОм @ 570 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 225 пФ @ 8 В
Максимальная мощность: 270 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
Поставщик Упаковка устройства: SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z