ON NTLJF4156NT1G
N-канальный30 V2,5A (Tj)1 В @ 250 мкА710 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
₽18.34
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Power MOSFET and Schottky Diode30 V, 4.6 A, µCool™ N−Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmWDFN Package
Features
Tape & Reel (TR) Package
NTLJF4156NT1G N-channel MOSFET is based on an original, unique vertical structure. NTLJF4156NT1G MOSFET results in a dramatic reduction in the on-resistance. NTLJF4156NT1G ON Semiconductor is utilized in the switching power applications such as Load/Power Switch for Portables, Load/Power Switch for Computing, DC to DC Conversion.
Surface Mount Mounting Type
Applications
Low VF Schottky
Co-Packaged MOSFET and Schottky
Low Profile (< 0.8mm)
RDS(on) Rated at Low VGS=1.5 V
WDFN Package Provides Exposed Drain Pad
NTLJF4156NT1G Applications
Load/Power Switch for Computing
Load/Power Switch for Portables
DC to DC Conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2,5A (Tj)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,5 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 70 мОм @ 2A, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6,5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 427 пФ при 15 В
Характеристика FET: Диод Шоттки (изолированный)
Максимальная рассеиваемая мощность: 710 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 6-WDFN (2x2)
Упаковка / Кейс: 6-WDFN Открытая колодка
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6