ON NVMFS6B14NLT1G
N-канальный100 V11A (Ta), 55A (Tc)3 В @ 250 мкА3,8 Вт (Ta), 94 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNVMFS6B14NLT1G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Нет технического описания
₽350.71
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ON Semiconductor NVMFS6 Power MOSFETs are AECQ101 Qualified and PPAP Capable 100V Single NChannel Power MOSFETs. The NVMFS6's low on-resistance minimizes conduction losses. The MOSFET's low gate charge and capacitance reduce driver losses. The NVMFS6B14NLWF MOSFET features a wettable flank option for enhanced optical inspection.
Features
Tape & Reel (TR) PackageSmall Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
NVMFS6B14NLWF ? Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection
AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 13 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 8 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1680 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,8 Вт (Ta), 94 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 5DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN, 5 выводов
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6