ST STB34N65M5
N-канальный650 V28A (Tc)5 В @ 250 мкА190 Вт (Тс)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB34N65M5
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
₽158.73
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These devices are N-channel MDmesh V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Features
MDmesh™ V Seriesa continuous drain current (ID) of 28A
a drain-to-source breakdown voltage of 650V voltage
the turn-off delay time is 59 ns
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STB34N65M5 applications of single MOSFETs transistors.
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB28NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
STB31N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
STB25NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STB26NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STB30NF20L
STMicroelectronics
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
STB30N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ V
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 28A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 110 мОм @ 14 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 62,5 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2700 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 190 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP