ST STF11NM65N
N-канальный650 V11A (Tc)4 В @ 250 мкА25 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF11NM65N
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
₽22.94
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
• 100% avalanche tested • Low input capacitance and gate charge • low gate input resistance
Features
MDmesh™ II Seriesa continuous drain current (ID) of 12A
a drain-to-source breakdown voltage of 650V voltage
the turn-off delay time is 55 ns
based on its rated peak drain current 48A.
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STF11NM65N applications of single MOSFETs transistors.
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STF10N62K3
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
STF11NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STF10NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STF10N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO220FP
STF11NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STF10P6F6
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ II
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 455 мОм @ 5,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 29 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 800 пФ при 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 25 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP