ST STL150N3LLH6
N-канальный30 V150A (Tc)1 В @ 250 мкА80 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTL150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
₽25.18
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VI SeriesHigh avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Very low on-resistance
Very low gate charge
On-resistance (RDS(ON))
Applications
Switching applications
Small motor control
Switch Mode Power Supplies (SMPS)
Power-Over-Ethernet (PoE)
Solar inverters
Automotive applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STL110NS3LLH7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
STL13DP10F6
STMicroelectronics
MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
STL100N10F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STL10N3LLH5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
STL140N4LLF5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT
STL130N8F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: DeepGATE™, STripFET™ VI
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 150A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,4 мОм @ 16,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 40 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4040 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 80 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PowerFlat™ (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247