Infineon AUIRF7316QTR
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)30V58 мОм @ 4,9 А, 10 В3 В @ 250 мкА
СравнитьAUIRF7316QTR
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
₽71.15
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
HEXFET® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
30V Drain to Source Voltage (Vdss)
58mOhm @ 4.9A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
34nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
710pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
AUIRF4905S - 20V-150V P-CHANNEL
AUIRF7313Q
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF4905S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF5210S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Не для новых разработок
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 58 мОм @ 4,9 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 34nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 710 пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN