Свяжитесь с нами
pусский
AUIRF8736M2TR

Infineon AUIRF8736M2TR

N-канальный40 V27A (Ta), 137A (Tc)3,9 В @ 150 мкА2,5 Вт (Ta), 63 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRF8736M2TR
MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽53.29

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Features

HEXFET® Series
a continuous drain current (ID) of 137A
a drain-to-source breakdown voltage of 40V voltage

DirectFET™ Isometric M4 Package / Case

Applications


There are a lot of Infineon Technologies
AUIRF8736M2TR applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,9 мОм @ 85 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,9 В @ 150 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 204 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6867 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 63 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Изометрическая M4 DirectFET™
Упаковка / Кейс: Изометрическая M4 DirectFET™
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z