Infineon AUIRFS8409
N-канальный40 V195A (Tc)3,9 В @ 250 мкА375 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRFS8409
AUIRFS8409 - 20V-40V N-CHANNEL A
₽34.76
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
Features
HEXFET® Seriesnewest extremely low on-resistance
Operating Temperature: 175 °C
Switching quickly
Recurrent Avalanche Permitted to Tjmax
RoHS Compliant and Lead-Free
Automotive Competent *
Applications
EPS, or electric power steering
Charge Switch
Micro Hybrid Start/Stop
Large Loads
Applications for DC-DC
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRFS4610
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
AUIRFS8408-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRFS4310
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
AUIRFS8407-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
AUIRFS3107TRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
AUIRFS4310
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
AUIRFS4610
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
AUIRFS8408-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
AUIRFS4127
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 195A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,2 мОм при 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,9 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 450 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 14240 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO263-3
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO