Свяжитесь с нами
pусский
AUIRLR3110Z

Infineon AUIRLR3110Z

N-канальный100 V42A (Tc)2,5 В @ 100 мкА140 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRLR3110Z
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
AUIRLR3110Z Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽459.85

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The AUIRLR3105 is MOSFET N-CH 55V 25A DPAK, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.139332 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-252-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 57 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C. In addition, the Vgs Gate Source Voltage is 16 V, the device is offered in 25 A Id Continuous Drain Current, the device has a 55 V of Vds Drain Source Breakdown Voltage, and Rds On Drain Source Resistance is 43 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Qg Gate Charge is 13.3 nC.

The AUIRLR2908TRR is MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET, that includes 39 A Id Continuous Drain Current, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-252-3, Packaging is designed to work in Reel, as well as the 120 W Pd Power Dissipation, the device can also be used as 22.5 mOhms Rds On Drain Source Resistance. In addition, the Technology is Si, the device is offered in N-Channel Transistor Polarity, the device has a 0.139332 oz of Unit Weight, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 80 V.

Features

HEXFET® Series


  • Logic level gate drive

  • Advanced process technology

  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Industrial

  • Automotive

  • Power management

  • Personal electronics


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 42A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 14 мОм @ 38 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 48 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3980 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 140 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z