Infineon BSS670S2LH6327XTSA1
N-канальный55 V540 мА (Ta)2 В @ 2,7 мкА360 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьBSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
₽3.07
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
N-channel - Enhancement modeAutomotive AEC Q101 qualifiedMSL1 up to 260°C peak reflow175°C operating temperatureGreen package (lead free)Ultra low Rds(on)
Features
OptiMOS™ Series? N-channel enhancement mode
? AEC accreditation
? MSL1 reflow to 260°C maximum
? 175°C operating temperature
? An environmentally friendly product (RoHS compliant)
? To the nth degree, avalanche-proofed
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 540 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 650 мОм @ 270 мА, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 2,7 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,26 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 75 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 360 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-SOT23
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23