Свяжитесь с нами
pусский
IGT60R190D1SATMA1

Infineon IGT60R190D1SATMA1

N-канальный600 V12,5A (Tc)1,6 В @ 960 мкА55,5 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

IGP40N65H5XKSA1 with pin details, that includes TrenchStopR Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a IGP40N65H5 SP001001738, that offers Unit Weight features such as 0.211644 oz, Mounting Style is designed to work in Through Hole, as well as the TO-247-3 Package Case, the device can also be used as Standard Input Type. In addition, the Mounting Type is Through Hole, the device is offered in PG-TO247-3 Supplier Device Package, the device has a 255W of Power Max, and Current Collector Ic Max is 74A, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 650V, and Current Collector Pulsed Icm is 120A, and the Vce on Max Vge Ic is 2.1V @ 15V, 40A, and Switching Energy is 390μJ (on), 120μJ (off), and the Gate Charge is 95nC, and Td on off 25°C is 22ns/165ns, and the Test Condition is 400V, 20A, 15 Ohm, 15V, and Pd Power Dissipation is 250 W, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 650 V, and Collector Emitter Saturation Voltage is 1.65 V, and the Continuous Collector Current at 25 C is 74 A, and Continuous Collector Current Ic Max is 74 A.

IGP64 with EDA / CAD Models manufactured by NVIDIA. The IGP64 is available in BGA Package, is part of the IC Chips.

Features

CoolGaN™ Series


  • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch

  • Ultra-fast switching

  • No reverse-recovery charge

  • Capable of reverse conduction

  • Low gate charge, low output charge

  • Superior commutation ruggedness



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Totem pole PFC

  • High-frequency LLC and flyback

  • Consumer SMPS 

  • High-density chargers based on the half-bridge topology


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolGaN™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 12,5A (Tc)
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,6 В @ 960 мкА
Максимальное напряжение источника затвора: -10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 157 пФ при 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 55,5 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-HSOF-8-3
Пакет / футляр: 8-PowerSFN
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z