Infineon IPP086N10N3
N-канальный100 V80A (Tc)3,5 В @ 75 мкА125 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIPP086N10N3
N-CHANNEL POWER MOSFET
₽50.72
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
IPP084N06L3G with pin details manufactured by INFINEON. The IPP084N06L3G is available in TO-220 Package, is part of the FETs - Single.
IPP086N10N with EDA / CAD Models manufactured by Infenon. The IPP086N10N is available in TO-220 Package, is part of the FETs - Single.
Features
OptiMOS™ SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
80A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8.6mOhm @ 73A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5V @ 75µA Vgs(th) (Max) @ Id
55 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
3980 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8,6 мОм @ 73 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,5 В @ 75 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 55 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3980 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO220-3-1
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23