Свяжитесь с нами
pусский
IPP60R080P7XKSA1

Infineon IPP60R080P7XKSA1

N-канальный650 V37A (Tc)4 В @ 590 мкА129 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
Infineon Technologies
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽650.78

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

IPP60R074C6XKSA1 with pin details, that includes IPP60R074 Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a IPP60R074C6 IPP60R074C6XK SP000898652, that offers Unit Weight features such as 0.211644 oz, Tradename is designed to work in CoolMOS, as well as the TO-220-3 Package Case, the device can also be used as Si Technology. In addition, the Number of Channels is 1 Channel, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 57.7 A of Id Continuous Drain Current, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 650 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 74 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel.

IPP60R040C7XKSA1 with EDA / CAD Models, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a TO-220-3 Package Case, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Part Aliases features such as IPP60R040C7 SP001277604.

Features

CoolMOS™ P7 Series


Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness

Significant reduction of switching and conduction losses

Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products

Better Ros(an/package products compared to competition enabled by a low Rs/on)"A (below 1Ohm*mm2)

Fully qualified acc. JEDEC for Industrial Applications



Through Hole Mounting Type

Applications


Wearable applications

Low-power wireless applications

Portable products

Battery powered systems


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™ P7
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 37A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 80 мОм @ 11,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 590 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 51 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2180 пФ @ 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 129 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z