Infineon IPW60R037P7XKSA1
N-канальный650 V76A (Tc)4 В @ 1,48 мА255 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
₽722.91
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The IPW50R299CP is MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3, that includes CoolMOS CP Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a IPW50R299CPFKSA1 IPW50R299CPXK SP000301163, that offers Unit Weight features such as 1.340411 oz, Mounting Style is designed to work in Through Hole, as well as the CoolMOS Tradename, the device can also be used as TO-247-3 Package Case. In addition, the Technology is Si, the device is offered in 1 Channel Number of Channels, the device has a Single of Configuration, and Transistor Type is 1 N-Channel, and the Pd Power Dissipation is 104 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 12 ns, and the Rise Time is 14 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 12 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 500 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 299 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 80 ns, and Typical Turn On Delay Time is 35 ns, and the Channel Mode is Enhancement.
The IPW50R350CPFKSA1 is MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP, that includes XPW50R350 Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-247-3, that offers Technology features such as Si, Transistor Polarity is designed to work in N-Channel, as well as the IPW50R350CP IPW50R350CPXK SP000301164 Part Aliases, the device can also be used as CoolMOS Tradename. In addition, the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 500 V, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 1 Channel of Number of Channels.
Features
CoolMOS™ P7 Series?An important reduction in switching and conduction losses has been achieved.
?High-performance trench technology is employed for extremely low RDS (ON)
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™ P7
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 76A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 37 мОм @ 29,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 1,48 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 121 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 5243 пФ @ 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 255 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO247-3
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK