Infineon IPW60R060C7XKSA1
N-канальный600 V35A (Tc)4 В @ 800 мкА162 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIPW60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
₽67.59
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The IPW60R045CPXK is MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a IPW60R045CP IPW60R045CPFKSA1 SP000067149 Part Aliases, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 1.340411 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-247-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 431 W Pd Power Dissipation, the device has a 2.1 V of Vgs Gate Source Voltage, and Id Continuous Drain Current is 60 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 600 V, and Rds On Drain Source Resistance is 450 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel.
IPW60R045CP/6R045 with EDA / CAD Models manufactured by INF. The IPW60R045CP/6R045 is available in TO-247 Package, is part of the IC Chips.
Features
CoolMOS™ C7 Series?Suitable for hard and soft switching( PFCand high performance LLC)
?Increased MOSFET dv/dtruggednessto120V/ns
?Increased efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
?Best in class RDS(on)/package
?Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
Through Hole Mounting Type
Applications
PFC stages and PWM stages(TTF,LLC)for high power/performance
SM PSe.g.Computing,Server,Telecom,UPS and Solar.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™ C7
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 35A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 60 мОм @ 15,9 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 800 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 68 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2850 пФ @ 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 162 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO247-3
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB