Свяжитесь с нами
pусский
IRFR12N25DPBF

Infineon IRFR12N25DPBF

N-канальный250 V14A (Tc)5 В @ 250 мкА144 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IRFR12N25DPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽18.77

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Benefits● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications● High frequency DC-DC converters● Lead-Free

Features

HEXFET® Series
Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
250 V Drain to Source Voltage (Vdss)
14A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
260mOhm @ 8.4A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
35 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
810 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
144W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 14A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 260 мОм @ 8,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 35 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 810 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 144 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z