ON FDG313N
N-канальный25 V950 мА (Ta)1,5 В @ 250 мкА750 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDG313N
MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
₽47.65
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Features
Tape & Reel (TR) PackageLow on-state resistance
Low gate charge
Low RDS (on)
Available in the SC70-6 package
Proprietary, high cell density, DMOS technology
Applications
Load switch
Battery protection
Power management
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDG312P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
FDFS6N754
onsemi
MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC
FDFS6N548
onsemi
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
FDFS6N303
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FDG1024NZ
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
FDFS6N303
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FDG312P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 950 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,7 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 450 мОм @ 500 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,3 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 50 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 750 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23