ON FDG327N
N-канальный20 V1,5 А (Ta)1,5 В @ 250 мкА420 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDG327N
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
₽16.09
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.
Features
PowerTrench® Series1.5A 20V. RDS(ON) = 90 mΩ@VGS=4.5 V.
RDS(ON)=100mΩ@VGS=25 V
RDS(ON) = 140 mΩ @VGS= 1.8V
Fast switching speed
Low gate charge (4.5 nC typical)
High-performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability.
Applications
DC/DC converter
Power management
Load switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDG312P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FDG315N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
FDG316P
onsemi
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
FDG314P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG1024NZ
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
FDG314P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG315N
onsemi
2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
FDG312P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
FDG316P
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,5 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 90 мОм @ 1,5 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6,3 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 423 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 420 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3