ON FDG315N
N-канальный30 V2A (Ta)3 В @ 250 мкА750 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDG315N
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
₽23.83
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Features
PowerTrench® Series2 A, 30 A V
Low gate charge (2.1nC typical).
RDS(on) = 0.12 Ω @ VGS = 10 V
RDS(on) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V
High-performance trench technology for extremely lowRDS(ON).
Compact industry standard SC70-6 surface mount package.
Applications
load switch
dc/dc converter
power management
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDG312P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FDG313N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
FDFS6N548
onsemi
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
FDG314P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG1024NZ
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
FDG314P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG313N
onsemi
0.95A, 25V, N-CHANNEL, MOSFET
FDG312P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FDG311N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 120 мОм @ 2A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 220 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 750 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3