ON FDG330P
P-канал12 V2A (Ta)1,5 В @ 250 мкА480 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDG330P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
₽31.79
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
FDG328P-NL with pin details manufactured by FAIRCHILD. The FDG328P-NL is available in SC706L Package, is part of the IC Chips.
FDG329N-NL with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDG329N-NL is available in SC70-6 Package, is part of the IC Chips.
Features
PowerTrench® SeriesRqs(on)= 110 m￡2 @ Vgs = -4.5 V
@ Vqs = —2.5 V, Rds(on)= 150
@ Vgs = —1 -8 V, Rds(on)= 215 mQ
Low entry fee
Extremely low Rqsioni with high-performance trench technology
SC70-6 surface mount package is a compact industry standard.
Applications
?Battery administration
?Turn on the load switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDG315N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
FDG327NZ
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
FDG316P
onsemi
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
FDG314P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG327N
onsemi
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
FDG327N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
FDG314P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
FDG315N
onsemi
2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
FDG316P
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 12 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2A (Ta)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 110 мОм @ 2A, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 477 пФ @ 6 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 480 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6