Свяжитесь с нами
pусский
FDR8702H

ON FDR8702H

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-каналы20V3,6A, 2,6A38 мОм @ 3,6 А, 4,5 В1,5 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
FDR8702H
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
FDR8702H Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDR8521L is MOSFET P-CHAN 20V SSOT-8, that includes Digi-ReelR Packaging, they are designed to operate with a 8-SMD, Gull Wing Package Case, Input Type is shown on datasheet note for use in a Non-Inverting, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), Output Type is designed to work in P-Channel, as well as the On/Off Interface, the device can also be used as SuperSOT?-8 Supplier Device Package. In addition, the Ratio Input:Output is 1899/12/30 1:01:00, the device is offered in 1 Number of Outputs, the device has a Not Required of Voltage Supply Vcc Vdd, and Output Configuration is High Side, and the Rds On Typ is 54 mOhm, and Voltage Load is 3 V ~ 20 V, and the Current Output Max is 2.9A, and Switch Type is General Purpose.

The FDR858P is MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 manufactured by FAI. The FDR858P is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8, P-Channel 30V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
3.6A, 2.6A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38mOhm @ 3.6A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
10nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
650pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3,6A, 2,6A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 38 мОм @ 3,6 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 10nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 650пФ @ 10В
Максимальная мощность: 800 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-LSOP (0,130", ширина 3,30 мм)
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-8
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z