ON FDT86106LZ
N-канальный100 V3,2A (Ta)2,2 В @ 250 мкА1 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDT86106LZ
FDT86106 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Нет технического описания
₽15.87
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using an advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Features
PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 108 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.2 A
Max rDS(on) = 153 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A
High-performance trench technology for extremely low RDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
HBM ESD protection level > 3 VK typical (Note 4)
100% UIL tested
RoHS Compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
DC-DC Conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS9953A
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
FDSS2407
onsemi
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
FDT3612
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
FDT457N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
FDT1600N10ALZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
FDT434P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
FDSS2407
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDS9953A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDT3612
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDT434P
onsemi
6A, 20V, 0.05OHM, P-CHANNEL, MO
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3,2A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 108 мОм при 3,2 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 315 пФ при 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223-4
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3