ON FDT86246
N-канальный150 V2A (Ta)4 В @ 250 мкА2,2 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDT86246
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
₽27.42
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Features
PowerTrench® Series
Max rDS(on) = 236 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2 A
Max rDS(on) = 329 mΩ at VGS = 6 V, ID = 1.7 A
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Fast switching speed
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Surface Mount Mounting Type
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Load Switch
Primary Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDT3612
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
FDT86113LZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
FDT457N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
FDT1600N10ALZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
FDT434P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
FDT86244
onsemi
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
FDT3612
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDT434P
onsemi
6A, 20V, 0.05OHM, P-CHANNEL, MO
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 236 мОм @ 2A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 215 пФ при 75 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,2 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223-4
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23