Свяжитесь с нами
pусский
STF6N65K3

ST STF6N65K3

N-канальный650 V5.4A (Tc)4,5 В @ 50 мкА30 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
STMicroelectronics
STF6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP
STF6N65K3 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽29.21

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

These SuperMESH3 Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

Features

SuperMESH3™ Series
a continuous drain current (ID) of 5.4A
a drain-to-source breakdown voltage of 650V voltage
the turn-off delay time is 54 ns

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
STF6N65K3 applications of single MOSFETs transistors.

  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
  • PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
  • PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
  • Lighting, Server, Telecom and UPS.
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH3™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5.4A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,3 Ом @ 2,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 50 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 35 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 880 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z